### 20P02GH-VB 产品简介20P02GH-VB 是一款高性能的单 P 沟道 MOSFET，设计用于负载开关和功率管理应用。采用了沟槽技术，具有低导通电阻和高漏极电流能力，适用于各种负载
2024-07-09 16:59 微碧半导体VBsemi 企业号
### 20P02J-VB 产品简介20P02J-VB 是一款单 P-沟道 MOSFET，采用 Trench 技术，封装形式为 TO251。具有较低的导通电阻和较高的漏极电流承载能力，适用于需要
2024-07-09 17:01 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi 的 2P02-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET，采用 SOT23-6 封装。这款 MOSFET 具有负漏源电压和低导通电阻，适用于负载开关和级联电路。### 详细
2024-07-12 14:32 微碧半导体VBsemi 企业号
产品概述SX07-0B00-02是一款高性能的电子元件，广泛应用于各类电子设备中。该产品的设计旨在满足现代电子产品对高效能和可靠性的需求，适合用于多种应用场景。SX07-0B00-02具有优异的电气
2025-02-16 09:12 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 20P02GJ-VB TO251 MOSFET 产品简介#### 一、产品简介VBsemi的20P02GJ-VB TO251是一款单P-沟道MOSFET，采用了Trench技术。该器件具有低
2024-07-09 17:00 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**AP20P02J-VB** 是一款单P-沟道功率MOSFET，采用TO251封装。该器件具有低漏源电压承受能力（-30V）和高电流处理能力（-20A），适合要求高效能量传输和中低
2024-12-17 11:26 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介AP20P02GH-VB 是一款单 P-沟道功率场效应管（Power MOSFET），采用Trench工艺制造。该器件适用于高性能功率开关和电源管理应用，具有-30V的漏极-源
2024-12-17 11:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP50L02P-VB 产品简介AP50L02P-VB是一款高性能、低导通电阻的单N通道MOSFET，封装为TO220。采用先进的Trench技术制造，设计用于高电流和高功率的电源开关
2024-12-20 16:36 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AM90P03-02P-VB是一款高性能的单P-Channel MOSFET，采用TO220封装。具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于要求高效能和大电流处理的电源管理和开关
2024-12-03 15:26 微碧半导体VBsemi 企业号
