MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个
2019-07-03 16:26
损耗是MOSFET的Qg乘以驱动器电压和开关频率的值。Qg请参考所使用的MOSFET的技术规格书。驱动器电压或者实测，或者参考IC的技术规格书。
2020-04-05 11:52
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制器件，用作电源电路和电机驱动器等系统中的开关元件。栅极是每个设备的电气隔离控制端子。 MOSFET的其他端子是源极和漏极，对于I
2023-01-30 17:17
MOSFET驱动器功耗 MOSFET驱动器的功耗包含三部分： 由于MOSFET栅
2024-10-29 10:45
GaN FETs以其体积小、切换速度快、效率高及成本低等优势，为电力电子产业带来了革命性的变化。然而，GaN技术的快速发展有时超出了专门为GaN设计的栅极驱动器和控制器的发展。因此，电路设计师经常转向为硅MOSFETs设计的通用
2024-02-29 17:54 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
栅极驱动器可以驱动开关电源如MOSFET，JFET等，因为如MOSFET有个栅极
2020-01-29 14:18
本手册概述了 ACPL-P349/W349 评估板的特性以及评估隔离式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 栅极驱动器所需的配置。需要目视检查以确保收到的评估板
2021-06-23 10:45
高频率开关的MOSFET和IGBT栅极驱动器，可能会产生大量的耗散功率。因此，需要确认驱动器功率耗散和由此产生的结温，确保器件在可接受的温度范围内工作。高压
2024-11-11 17:21
TMC6140 是一款完全集成的通用三相 MOSFET 栅极驱动器，适用于 PMSM 伺服或 BLDC 电机。支持高达 100 A 电机电流的外部MOSFET。 三个底
2022-03-23 13:56
虽然 SiC 提供了一系列优势，包括更快的开关和更高的效率，但它也带来了一些设计挑战，可以通过选择正确的栅极驱动器来解决。
2022-08-03 09:13
