在通孔板上建立电路数小时后，我发现使用P-MOSFET时Vgs并不容易。经过搜索，我发现我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）将源极电压带到栅极，以便关断MOSFET
2018-08-23 10:30
CCG8 使用 GPIO 来控制 FET 栅极驱动器的功率吸收路径， 我可以使用 P-MOSFET 作为电源接收路径吗？ 使用 N-MOSFET 作为功率吸收路径有哪些
2025-05-28 06:51
高速MOSFET栅极驱动电路的设计与应用指南
2019-03-08 22:39
MOSFET栅极电路常见的作用MOSFET常用的直接驱动方式
2021-03-29 07:29
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC
2023-06-16 06:04
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而
2021-01-27 07:59
栅极端子连接的基板上，沉积了氧化层。由于该氧化层充当绝缘体（与基板绝缘），因此MOSFET也称为IGFET。在制造MOSFET时，轻掺杂的基板与严重掺杂的区域扩散。根据所使用的基板，它们分为
2023-02-02 16:26
如图是THS3491的数据手册上推荐它用作驱动电路的应用图。图中N-MOSFET的源极接在了最高电位+Vs，而THS3491的最大输出也是+Vs，并通过2.49Ω电阻连接到N-MOSFET的
2024-08-08 06:58
MOSFET建议用12V电压驱动；驱动电阻建议220～510欧，必须用；驱动电阻能有效抑制寄生振荡；另外注意，N-MOSFET
2012-07-06 16:16
