l. PN结的形成(1)载流子的扩散运动用掺杂工艺在一块完整半导体中，一部分形成P型半导体，另一部分形成N 型半导体。那么，在两种杂质型半导体交界处两侧，P区的空穴（多
2017-07-28 10:12
是我们所说的pn结。p型和n型半导体接触后，在接触面，n型区的多子电子向p型区扩散，同时
2016-11-29 14:52
低内阻超结MOS NCE08N608A 600V内阻600豪欧封装TO-220 TO-251TO-252
2012-08-10 16:43
两个空间电荷区（即p-i和n-i两个界面的空间电荷区），一个空间电荷区包含有正电荷，另一个空间电荷区包含有负电荷，这些空间电荷所产生的电场——内建电场的电力线就穿过i型层。（2）势垒区：pn结中阻挡
2013-05-20 10:00
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高 性能适配器等。
2023-09-15 08:16
N型半导体也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。 在纯净的电子发烧友体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。在
2016-10-14 15:11
各位高手，问下9N90C是什么元件封装，有没有相近的封装？
2011-07-30 12:40
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明， 高性能适配器等。
2023-09-15 06:19
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明， 高性能适配器等。
2023-09-15 08:19
可控硅元件一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件，创制于1957年，由于它特性类似于真空闸流管，所以国际上通称为硅晶体闸流管，简称晶闸管T。又由于晶闸管最初应用于可控整流方面所以又称
2008-08-12 08:50
