MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性，就RDS(on)而言，为得到相等的值，
2018-03-09 14:28
2mm*3mm，可以高效驱动外部N-MOSFET来代替传统肖特基二极管或P-MOSFET进行汽车前端反向输入保护。
2024-08-28 10:54
功率MOSFET有二种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；
2024-10-30 15:24
超级结又称超结，是制造功率场效应晶体管的一种技术，其名称最早岀现于1993年。传统高压功率MOSFET的击穿电压主要由n型外延层和p型体区形成的pn结耗尽区的耐压决定，又因p型体区掺杂浓度较高，耗尽区承压主要在外延n
2022-09-13 14:38
晶体管，它属于电压控制型半导体器件。根据导电沟道类型和栅极驱动电压的不同，可以分为N沟道-增强型MOSFET、N沟道-耗尽型MOSFET、P沟道-增强型MOSFET、
2023-11-07 14:51
MOSFET是一种半导体器件，属于可控硅器件，也称为金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它可以用来控制电流和电压。
2023-02-17 14:48
该OnSemi公司的LV5980MC是单个内嵌P MOSFET的单通道DC-DC转换器，工作电压范围为4.5V至23V，最大输出电流为3A。可实现低功率损耗，操作电流大约为63uA。该具有芯片外部
2021-03-15 09:12
的LED。FP7103包括一个高电流的P-MOSFET，以实现高效率和优异的瞬态特性。PWM控制电路能够将占空比从0线性改变到100%。其他功能包括用户可访问的EN
2024-11-02 08:02 深圳市雅欣控制技术有限公司 企业号
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常
2023-04-13 09:40
