型号 FDD5614P丝印 VBE2610N品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 38A 导通电阻 61mΩ
2023-10-28 11:48 微碧半导体VBsemi 企业号
根据提供的型号和参数，以下是对该 MOSFET 型号 P1203ED-VB 的详细参数和应用简介：**型号：** P1203ED-VB**丝印：** VBE2311**品牌：** VBsemi
2023-12-18 17:31 微碧半导体VBsemi 企业号
Ω @ 4.5V 额定栅极源极电压（Vgs） 20V (±V) 阈值电压（Vth） 1.3V 封装类型 TO252应用简介 20P03是一款P沟道MOSFET，具有高电
2023-11-06 11:24 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：50P06-VB丝印：VBE2625品牌：VBsemi参数：- P沟道 MOSFET- 额定电压：-60V- 最大持续电流：-50A- 静态导通电阻 (RDS(O
2023-12-20 15:07 微碧半导体VBsemi 企业号
型号 SQD50P0615LGE3丝印 VBE2625品牌 VBsemi详细参数说明 类型 P沟道MOSFET 最大耐压 60V 最大电流 50A 导通电阻
2023-11-02 09:28 微碧半导体VBsemi 企业号
：** P-Channel 沟道 MOSFET- **电压等级：** -30V- **电流等级：** -26A- **导通电阻（RDS(ON)）：** 33mΩ @ V
2024-02-20 10:05 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介2508P-VB 是 VBsemi 生产的一款双P+P-沟道MOSFET，封装为TSSOP8，适用于低压、中功率的电源开关和电路保护等应用。采用沟槽
2024-07-10 16:12 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AM90P10-30P-VB是一款单P沟道MOSFET，采用Trench技术，封装形式为TO220。具有负漏源极电压承受能力和低导通电阻特性，适用于需要
2024-12-03 15:43 微碧半导体VBsemi 企业号
