将空穴从p+源极和漏极区域吸引到沟道区域。耗尽模式 P 通道P 通道增强模式加工就结构而言，
2023-02-02 16:26
是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关，本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员，
2018-03-03 13:58
MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道
2021-04-09 09:20
控制器件。当空穴浓度形成沟道时，由于负栅极电压的增加，整个沟道的电流得到改善，因此这被称为 P沟道增强型MOSFET。2
2022-09-27 08:00
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟
2021-03-02 08:40
，合适于功率MOSFET的应用。这种结构称为垂直导电双扩散MOS结构VDMOSFET（Vertical Double Diffused MOSFET）。N
2016-10-10 10:58
MOS栅结构是MOSFET的重要组成部分，一个典型的N沟道增强型结构示意图如图1所示。其中栅极、源极和漏极位于同一个平面内，半导体的另一个平面可以称为体端，所以在一些书
2024-06-13 10:07
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET
2019-07-09 17:30
功率MOSFET结构图1列出这二种沟道功率MOSFET的结构，都是沟槽型Trench
2016-12-07 11:36
