N加P沟道增强型MOSFET管 N加P沟道
2010-04-08 17:43
30V P 沟道增强型MOSFET管 30V P 沟道
2010-04-08 17:42
20V P 沟道增强型MOSFET管 20V P 沟道
2010-04-08 17:36
一般说明PW2319采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。特征VDS=-40V，ID=-5ARDS（开）
2020-12-04 14:28
一般说明PW2309采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。 特征VDS=-60V，ID=-3ARDS（开）
2020-12-10 15:57
一般说明PW2307采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON）、低栅极电荷和栅电压低至4.5V时工作。该装置适用于电池保护或在其他交换应用中 特征VDS=-20V ID=-7ARDS（开）
2020-12-23 13:05
`一般说明PW2337采用先进的沟道技术，提供优秀的RDS（ON），低栅电荷栅极电压低至4.5V，适用于电池保护或在其他交换应用中。 特征VDS=-100V，ID=-0.9ARDS（开）&
2020-12-10 16:01
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2024-03-19 09:13
电子发烧友网站提供《双P沟道增强型mosfet TPS1120数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-19 09:19
电子发烧友网站提供《2319AI P沟道增强型MOSFET规格书.pdf》资料免费下载
2025-05-14 17:39
