P沟道场效应管（P-channel Field-Effect Transistor，简称P-FET）的导通条件是其能够正常工作的关键要素。以下是关于
2024-09-23 17:12
P沟道场效应管（P-channel Field-Effect Transistor，简称P-FET）的电流方向是半导体器件工作中的一个基本特性，它决定了电流在器件内部的
2024-09-23 17:22
下图是一个由 RC 电路和 P 沟道场效应管组成的延时关机电路。
2023-02-15 11:06
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种通过改变电场来控制半导体材料导电性能的电子器件。根据导电沟道中载流子的类型，场效应管可以分为N沟道场
2024-09-23 16:41
下图是一个由 RC 电路和 P 沟道场效应管组成的延时关机电路
2023-08-14 17:02
采用两只N沟道和两只P沟道场效应管的全桥驱动电路工作时，在驱动控制IC的控制下，使V4、V1同时导通，V2、V3同时导通，且V4、V1导通时，V2、V3截止，也就是说，V4、V1与V2、V3是交替导通
2012-04-05 11:34
载流子。P型MOSFET在半导体中产生带正电荷的空穴，此时为P型（P沟道）参杂，在P型MOSFET中空穴为多数载流子，电
2023-02-11 14:36
波形的几个状态如下： 1. 上电后，未按下按键前，电容上端电压为零。 2. 按下按键后，电容迅速充电至电源电压，电容上端电压为电源电压。此时，电容充满电。 3. 放开按键后，电容通过电阻 R1 缓慢放电，电容 C1 上端电压逐渐降低，最后接近 0 V。 上面简单并联 RC 电路和波形比较容易理解和看懂。
2023-10-08 10:43
N沟道场效应管（N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET）和P沟道场效应管（P-Channel Field Ef
2024-09-23 16:38
驱动电路由缓冲器U、电阻R2 及1 对小功率场效应对管Q1 、Q2 组成。当控制信号为低电平时,同向缓冲器U 输出低电平,使得与+ 9 V 电源相联的P 沟道场效应管Q
2012-04-17 15:43
