`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30
概述：CN2305是上海如韵电子出品的一款P沟道增强型功率MOSFET，它采用先进工艺，提供较低的导通电阻，低栅极电荷和低工作电压，栅极电压可低至2.5V。CN2305适合用于电池保护，或PWM开关中的应用。
2021-04-13 06:46
现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅
2021-05-13 06:13
`SUN2310SGP沟道增强型功率场效应管（MOSFET） ，采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。 采用带散热片的 SOP8 封装`
2011-05-17 10:57
母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N
2021-05-25 07:46
对于连接器型号及命名知识您都了解吗？您知道连接器的不同型号都有什么意义吗？连接器有很多种类，并且每个种类又有很多产品，市面上对各种产品的叫法又各不相同，例如：同轴BNC接头，好多工程师又叫它Q9头
2017-10-09 10:32
(1) 在用fork或clone系统调用创建新进程时，有特定的选项可以控制是与父进程共享命名空间，还是建立新的命名空间。(2) unshare系统调用将进程的某些部分从父进程分离，其中也包括命名空间
2019-05-24 06:21
1.常用半导体器件型号命名的国家标准常用半导体器件的型号命名由五个部分组成，第一部分用数字表示电极的数目；第二部分用汉语拼音字母表示器件的材料和极性；第三部分表示器件的类别；第四部分表示器件的序号
2017-11-06 14:03
焊盘命名规范 通常我们的焊盘分为通过孔（THP）焊盘和表贴（SMD）焊盘两种形式。但这两种形式当中，又有多种形状。所以我们要有一个统一的命名规范，以方便以后调用。一、THP焊盘命名规范圆形通孔焊盘
2011-12-31 17:27
元器件的命名规则
2012-08-16 16:05
