功率器件在储能变流器(PCS)上的应用，双向DC-DC高压侧BUCK-BOOST线路，推荐瑞森半导体超结MOS系列。模块BOOST升压/双向DC-AC转化器，推荐瑞森半导体IG
2024-01-03 11:44
IGBT热阻的研究对于延长IGBT的使用寿命和提高其应用可靠性具有重要的现实意义，目前获取IGBT热阻参数的试验方法多为热敏参数法，该方法方便简洁、对硬件要求低，但是传统的热敏参数法需要测量
2021-04-29 09:15
更高密度的低功率SMPS设计需要越来越多的高压MOSFET器件。英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出CoolMOS™ P7系列的新成员950 V CoolMOS P7
2018-08-27 14:15
超结VDMOS是一种发展迅速、应用广泛的新型功率半导体器件。
2023-09-18 10:15
超结MOS采用垂直结构设计，在漂移区内交替排列垂直的P型柱区和N型柱区，形成“超级
2025-05-06 15:05
英飞凌IGBT模块开关状态下最高工作结温一般是150度，而IGBT7短时过载情况下的最高工作结温可达175度。
2023-02-06 14:30
碲镉汞（HgCdTe，MCT）红外焦平面器件结构包括本征汞空位掺杂n-on-p、非本征掺杂n-on-p、n-on-p台面结
2024-05-24 09:31
IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种广泛应用于电力电子领域的半导体器件，具有高输入阻抗、低导通压降、快速开关速度等特点。在IGBT的应用过程中，VCE（集电极-发射极电压）和结
2024-08-08 09:13
