的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT （硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封），使得IGBT的开关损耗大幅降低。这款混合碳化硅分立
2023-02-28 16:48
RC-Semi SJ IGBT结构示意图。该结构的设计者一改惯用思维方式，另辟蹊径。采用半超结结构降低器件漂移区电阻，从而增加N-buffer扩展电阻Rn在总电阻中的比重，使得阳极
2019-09-26 13:57
电路内，意法半导体最新超结MOSFET与IGBT技术能效比较 图1: 垂直布局结构 4 功率损耗比较 在典型工作温度 Tj = 100 °C范围内，我们从动静态角度对两款
2018-11-20 10:52
），到现在的超结IGBT（SJ-IGBT），新结构层出不穷，并且正在向功率器件集成化和智能功率模块方向发展。今天我们来聊
2020-12-11 16:54
测量和校核开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器的功率器件结温，如 MOSFET 或 IGBT 的结温，是一个不可或缺的过程，功率
2021-03-11 07:53
半导体器件。上次从IGBT的名称入手，搞清楚了IGBT栅极和双极性所包含的背后意义。这次我们从IGBT的定义出发，来看看为什么说
2023-02-10 15:33
等级，同时，在器件导通时，形成一个高掺杂N+区，作为功率MOSFET导通时的电流通路，也就是将反向阻断电压与导通电阻功能分开，分别设计在不同的区域，就可以实现上述的要求。基于超结
2018-10-17 16:43
MOSFET一旦turn-on，这个Vbe一定很容易就大于0.7V了，所以这个BJT的Vbe就导通了，此时BJT管就导通进入放大区了(发射结正偏，集电结反偏)。IGBT里面有一个天然寄生的NPNP晶闸管，这个
2023-02-08 16:50
CoolMOS，这种结构从学术上来说，通常称为超结型功率MOSFET。图3：内建横向电场的SuperJunction结构垂直导电N+区夹在两边的P区中间，当MOS关断时，形成两个反向偏置的PN
2017-08-09 17:45
另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector )，它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态
2012-03-23 11:13
