摘要: 针对传统结构超结 IGBT 器件在大电流应用时的电导调制效应较弱，削弱了 IGBT 器 件低饱和导通压降优点的
2023-08-08 10:20
超结IGBT的结构特点及研究进展
2023-08-08 10:11
超结理论的产生与发展及其对高压MOSFET器件设计的影响:对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍。以应用
2009-12-13 19:57
摘 要： 对超结理论的产生背景及其发展过程进行了介绍。以应用超结理论的COOLMOSTM 器件为例，介绍了
2008-11-14 15:32
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT （硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封），使得IGBT的开关损耗大幅降低。这款混合碳化硅分立
2023-02-28 16:48
功率器件在储能变流器(PCS)上的应用，双向DC-DC高压侧BUCK-BOOST线路，推荐瑞森半导体超结MOS系列。模块BOOST升压/双向DC-AC转化器，推荐瑞森半导体IG
2024-01-03 11:44
电路内，意法半导体最新超结MOSFET与IGBT技术能效比较 图1: 垂直布局结构 4 功率损耗比较 在典型工作温度 Tj = 100 °C范围内，我们从动静态角度对两款
2018-11-20 10:52
IGBT结温估算
2023-02-23 09:23
IGBT热阻的研究对于延长IGBT的使用寿命和提高其应用可靠性具有重要的现实意义，目前获取IGBT热阻参数的试验方法多为热敏参数法，该方法方便简洁、对硬件要求低，但是传统的热敏参数法需要测量
2021-04-29 09:15
