IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种双极性器件，结合了MOSFET和普通晶体管的优势，既具有IGFET（Insulated Gate
2024-02-01 13:59
IGBT器件的结构和工作原理
2024-02-21 09:41
在电力电子技术的快速中，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）技术以其高效、可靠的性能，成为众多领域的核心组件。从微小的IGBT芯片到复杂的IGBT器件，每一个组成部分都承载着
2024-10-15 15:23
本文研究了逆变器核心开关器件IGBT主要参数的选择， 分析三相逆变电路拓扑及功率器件IGBT的应用特点，根据其特点选择合适额定电压，额定电流和开关参数。以及优化设计栅电
2019-07-17 08:45
IGBT单管是一种N沟道增强绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源极区，连接到其上的电极称为源极区。P+区域称为漏极区。器件的控制区域是栅极区域，连接到其上的电极称为栅极。通道紧邻围栏边界形成。漏极
2023-02-10 17:16
IGBT及其派生器件，例如：IGCT，是MOS和双极集成的混合型半导体功率器件。因此，IGBT的失效模式，既有其子器件
2018-06-20 14:51
由于此结构画出的电路图有点儿像印第安人的图腾柱，所以叫图腾柱式输出（也叫图腾式输出）。
2024-01-30 14:57
多的这个P层因内有载流子，有电导调制作用，可以使IGBT在跟高电压和电流下，有很低的压降，因此IGBT可以做到很高电压（目前最大6500V），但由于载流子存在，IGBT
2017-05-14 10:09
选择导通阻抗非常低的mosFET作为开关器件，构成IGBT栅极功率输出电路，如图4，同时，采用多个栅极电阻切换的方式，实现不同条件下对IGBT性能的调整。在IGBT正
2017-05-17 09:58
随着电力电子器件技术的发展，大功率器件在轨道交通、直流输电、风力发电等领域的市场迅猛发展，其中以IGBT器件表现尤为突出，在具体的应用工况中，每一个
2017-05-25 09:50
