MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的
2023-04-13 09:40
通过以下几个方面来解释： 1. MOSFET的基本结构和工作原理 MOSFET由四个主要部分组成：源极（Source）、漏极（Drain）、栅极（Gate）和衬底（Substrate）。在n型
2024-09-18 09:52
晶体管，它属于电压控制型半导体器件。根据导电沟道类型和栅极驱动电压的不同，可以分为N沟道-增强型MOSFET、N沟道-耗尽型MO
2023-11-07 14:51
型MOSFET作为MOSFET的一种重要类型，在电子设计和工程领域中有着其独特的地位。本文将对耗尽型MOSFET的基本概
2024-05-12 17:19
超级结又称超结，是制造功率场效应晶体管的一种技术，其名称最早岀现于1993年。传统高压功率MOSFET的击穿电压主要由n型外延层和p型体区形成的pn结耗尽区的耐压决定，
2022-09-13 14:38
MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子的流动性是空穴的三倍。尽管没有直接的相关性，就RDS(on)而言，为得到相等的值，
2018-03-09 14:28
从早期的平面 CMOS 工艺到先进的 FinFET，p 型衬底在集成电路设计中持续被广泛采用。为什么集成电路的制造更偏向于P型硅？
2025-05-16 14:58
N型单导体和P型半导体是两种不同类型的半导体材料，它们具有不同的电子特性和导电能力。
2024-02-06 11:02
ARK（方舟微）研发的UltraVt ®超高阈值耗尽型MOSFET包括耐压70V的DMZ0622E系列、耐压100V的DMZ(X)1015E系列、耐压130V的DMZ(X)1315E系列、耐压130V的DMZ(X)1315EL系列等产品。
2023-11-18 16:00
