08P06P-VB 是一款 TO252 封装的单通道 P 沟道 MOSFET。它具有以下主要参数:- VDS(漏极-源极电压):-60V- VGS(栅极-源极电压):±20V- Vth(阈值电压
2024-07-04 11:50 微碧半导体VBsemi 企业号
:** Trench(沟槽型)30P10GS-VB 是一款单P沟道 MOSFET,适用于负电压高功率应用。其具有负电压漏源电压和低导通电阻特性,适合用于各种功率电子系统
2024-11-04 17:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### 204P-VB 产品简介204P-VB 是一种先进的双 P-沟道 MOSFET,采用 Trench 技术,封装形式为 SOP8。它具有较低的导通电阻和较高的电流
2024-07-09 15:01 微碧半导体VBsemi 企业号
的沟槽型技术使其成为各种电子系统中的理想选择。### AP15P10GS-VB 参数说明- **封装类型**: TO263- **配置**: 单P沟道- **漏极-
2024-12-16 16:40 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:AM3921P-T1-PF-VB**AM3921P-T1-PF-VB是一款高性能双P沟道功率MOSFET,采用SOT23-6封装,结合了双
2024-11-29 15:26 微碧半导体VBsemi 企业号