，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。P型半导体也称为空穴
2016-10-14 15:11
) P型半导体在本征半导体中掺入微量的三价元素（如硼）就形成P型
2017-07-28 10:17
1. 答：半导体多路开关的特点是：(答5条即可)(1)采用标准的双列直插式结构，尺寸小，便于安排；(2)直接与TTL(或CMOS)电平相兼容；(3)内部带有通道选择译码器，使用方便；(4)可采用正或
2021-09-10 06:57
半导体二极管按其结构的不同可分为点接触型和面接触型两类。 点接触型二极管是将一根很细的金属触丝（如三价元素铝）和一块
2021-05-13 07:52
半导体晶圆（晶片）的直径为4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圆盘，在制造过程中可承载非本征半导体。它们是正（P）型半导体
2021-07-23 08:11
”对越多;在室温下,“电子—空穴”对少,故电阻率大。2. 掺杂半导体及其特点 (1) N 型半导体:在本征硅或锗中掺入适量五价元素形成 N
2021-05-24 08:05
半导体元器件是用半导体材料制成的电子元器件，随着电子技术的飞速发展，各种新型半导体元器件层出不穷。半导体元器件是组成各种电子电路的核心元件，学习电子技术必须首先了解
2008-05-24 10:29
，硅的电阻率就大大减小，利用这种特性制成了各种不同的半导体器件，如二极管、双极型晶体管、场效晶体管及晶闸管等。4、本征半导体就是完全纯净的、晶格完整的半导体。5、在本征
2016-10-07 22:07
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：III-V族半导体纳米线结构的光子学特性编号：JFSJ-21-075作者：炬丰科技 摘要：III-V 族半导体纳米线 (NW) 由
2021-07-09 10:20
IGBT的内部结构及特点：本文通过等效电路分析，通俗易懂的讲解IGBT的工作原理和作用，并精简的指出了IGBT的特点。IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，是由BJT(双极
2021-11-16 07:16
