浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。 在纯净的电子发烧友体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P
2016-10-14 15:11
(掺杂+热激发) = 空穴的数目(热激发)+正粒子数;半导体对外仍呈电中性。 (2) P 型半导体:在本征硅或锗中掺入
2021-05-24 08:05
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:57 编辑 为什么就不能在半导体中掺杂四价元素或六价元素？
2012-11-25 13:30
) P型半导体在本征半导体中掺入微量的三价
2017-07-28 10:17
) P型半导体在本征半导体中掺入微量的三价
2018-02-11 09:49
，自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子。9、P型半导体是在硅或锗晶体中掺入硼（或其他三价
2016-10-07 22:07
挣脱束缚，会导致载流子浓度上升，从而打破这个平衡，温度一定后会再次建立平衡。杂质半导体通过扩散工艺，在本征半导体掺入某些元素。一 .N
2020-06-27 08:54
征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。*N型半导体:
2019-07-10 19:15
在制造半导体器件时，为什么先将导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗制成本征半导体，使之导电性极差，然后再用扩散工艺在本征半导体中
2012-07-11 20:23
，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或 五价元素。掺入
2020-01-08 10:52
