半导体放电管
2024-06-11 13:45
半导体放电管
2024-06-11 13:45
半导体放电管
2024-06-11 13:45
该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench
2024-06-20 20:25
该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench
2024-06-20 20:21
该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench
2024-06-20 20:22
，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。P型半导体也称为空穴
2016-10-14 15:11
该 N 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体的 PowerTrench
2024-06-20 20:26
半导体放电管 VDRM=6V VT=4V IT=2.2A
2023-03-28 00:14
半导体技术数据 SOT23-3
2023-03-27 11:55
