取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自
2016-10-14 15:11
(掺杂+热激发) = 空穴的数目(热激发)+正粒子数;半导体对外仍呈电中性。 (2) P 型
2021-05-24 08:05
载流子，自由电子是少数载流子。此时， 杂质半导体仍然呈现电中性。(2) N型半导体在本征半导体中掺入微量的五价元素（如磷
2017-07-28 10:17
载流子，自由电子是少数载流子。此时， 杂质半导体仍然呈现电中性。(2) N型半导体在本征半导体中掺入微量的五价元素（如磷
2018-02-11 09:49
很久，对于轻度掺杂或者重度掺杂的半导体，无论是N型半导体或者P型半导体，
2024-02-21 21:39
半导体晶圆（晶片）的直径为4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圆盘，在制造过程中可承载非本征半导体。它们是正（P）型半导体
2021-07-23 08:11
在制造半导体器件时，为什么先将导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗制成本征半导体，使之导电性极差，然后再用扩散工艺在本征半导体中掺入杂质形成N
2012-07-11 20:23
的元素，在形成共价键后会多出一个电子，这个电子就成了自由电子。因为这个半导体自由电子的个数多于空穴个数，而电子带负电，所以称之为N(negative，负)型半导体。二 .P
2020-06-27 08:54
，自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子。9、P型半导体是在硅或锗晶体中掺入硼（或其他三价元素），半导体中形成了大量空穴，空穴导电成为主要的导电方式，也称作空穴
2016-10-07 22:07
、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型
2021-05-25 08:01
