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    2022-08-19 15:05

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    2024-04-15 15:49 深圳市浮思特科技有限公司 企业号

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    2010-03-01 11:20

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    2025-12-18 14:30

  • 英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET

    英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出了新一代OptiMOS™ 源极底置(Source-Down,简称SD)功率MOSFET,为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。

    2022-02-15 13:51

  • 英飞凌推出首款采用OptiMOS™ 7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET

    :IFNNY)顺应系统层面的发展趋势,推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率

    2023-12-12 18:04

  • 关于OptiMOS 5 150V功率MOSFET的性能分析和应用

    SuperSO8封装:OptiMOS 5 150V功率MOSFET此次提供了尺寸更小的SuperSO8封装,堪称封装界的best-in-class级别,相比于TO-220封装,SuperSO8将在减少封装电感的基础上进一步增大功率密度、减少漏源电压V DS的尖峰。

    2019-09-25 10:28