的MOSFET设计，就无法做到这一点。2006年，英飞凌为了满足客户的要求，推出了OptiMOS™ 2 100 V MOSFET[1]。它是该电压等级里采用电荷补偿技术的第一个功率MOSFE器件。相对于传统
2018-12-07 10:21
/DC开关电源的设计开发。2009年加入英飞凌科技（中国）有限公司。任系统应用工程师，负责英飞凌功率半导体器件的应用和方案推广。演讲內容介紹：英飞凌新的OptiMOS产品为MOSFET分离器件设立了一个
2012-07-13 10:50
达100A的电流处理能力等特性，使该系列产品在40至80V电压等级的低电阻MOSFET应用方面树立了全新的标准。OptiMOS 3产品用于要求高效率和高功率密度的功率转换和电源管理系统，应用范围广泛
2018-12-07 10:23
程师的这些要求。英飞凌几年前开发的OptiMOS™3技术相对于现有的其他MOSFET技术，可使通态电阻RDS(on) 大幅降低60%。另外还可大幅降低CGS （栅极至源极）和 CGD （栅极至漏极）电容
2018-12-06 09:46
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些应用？
2021-07-09 07:45
从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等
2018-11-30 11:34
。比如英飞凌的OptiMOS功率MOSFET, a可以取值0.4。7. 跨导跨导反映了漏极电流Id对于Vgs变异的敏感程度。9. 寄生电容MOSFET的寄生电容由三类，它们分别是门极源极电容，门极漏极电容
2018-07-12 11:34
什么是MOSFET驱动器？MOSFET驱动器功耗包括哪些部分？如何计算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53
MOSFET及MOSFET驱动电路基础
2021-02-25 06:05
电机驱动设计中MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计相关文章资料，大家可以看看，对大家很有帮助！
2021-03-29 16:18
