### ISL9N316AD3ST-VB MOSFET 产品简介ISL9N316AD3ST-VB 是一款高效能单 N 沟道 MOSFET，采用 TO-252 封装，专为中高功率开关应用设计。该器件
2025-09-26 17:32 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介（ISL9N318AD3ST-VB）ISL9N318AD3ST-VB 是一款高性能的N型功率MOSFET，采用TO-252封装，专为中低电压高电流应用设计。该器件能够承受高达30V
2025-09-26 17:35 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介 – ISL9N307AD3ST-VBISL9N307AD3ST-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，专为低电压、高电流应用设计。其漏源电压（VDS
2025-09-26 17:27 微碧半导体VBsemi 企业号
**ISL9N327AD3ST-VB 产品简介**ISL9N327AD3ST-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用TO-252封装，具备30V的漏源电压（VDS）和±20V的栅源电压（VGS
2025-09-26 17:37 微碧半导体VBsemi 企业号
### ISL9N2357D3ST-VB 产品简介ISL9N2357D3ST-VB 是一款高效能的单极N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为要求较低电压和高电流的应用设计。这款MOSFET的漏
2025-09-26 17:20 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：ISL9N308AD3ST-VB丝印：VBE1307品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：N沟道- 额定电压：30V- 最大持续电流：60A- 静态导通电阻 (RDS(ON))：10m
2023-12-21 16:28 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介ISL9N315AD3ST-VB 是一款高效能的N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为高电流和低电压应用设计。其额定漏源电压（VDS）为30V，最大漏极电流（ID）可达70A
2025-09-26 17:30 微碧半导体VBsemi 企业号
Qorvo ACT88329高级电源管理IC (PMIC)Qorvo ACT88329高级电源管理IC (PMIC) 具有三个降压转换器、两个LDO和负载旁路开关，采用
2024-02-26 19:41 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
ISL9N310AD3ST-VB是一款VBsemi品牌的N沟道功率MOSFET。丝印为VBE1307，具有以下详细参数 额定电压（Vds） 30V
2023-11-08 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号
Qorvo ACT88321高级电源管理IC (PMIC)Qorvo ACT88321高级电源管理 (PMIC) 具有三个降压转换器、两个LDO和负载旁路开关，采用集成式ActiveCiPS™
2024-02-26 19:41 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
