，自由电子为多子，空穴为少子，主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。P型半导体也称为空穴
2016-10-14 15:11
半导体晶圆（晶片）的直径为4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圆盘，在制造过程中可承载非本征半导体。它们是正（P）型半导体
2021-07-23 08:11
在制造半导体器件时，为什么先将导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或锗制成本征半导体，使之导电性极差，然后再用扩散工艺在本征半导体中掺入杂质形成N
2012-07-11 20:23
的元素，在形成共价键后会多出一个电子，这个电子就成了自由电子。因为这个半导体自由电子的个数多于空穴个数，而电子带负电，所以称之为N(negative，负)型半导体。二 .P
2020-06-27 08:54
、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N
2021-05-25 08:01
导体器件有很大影响。3.杂质半导体掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。杂质半导体是
2017-07-28 10:17
导体器件有很大影响。3.杂质半导体掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。杂质半导体是
2018-02-11 09:49
(掺杂+热激发) = 空穴的数目(热激发)+正粒子数;半导体对外仍呈电中性。 (2) P 型半导体:在本征硅或锗中掺入适量三价元素,形成
2021-05-24 08:05
器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P
2021-05-25 07:46
掺杂的半导体材料可以满足要求。本文不介绍驻极体材料，重点介绍P型掺杂的半导体材料。材料可以是P
2025-05-10 22:32
