针对具有滞后性、非线性和耦合性的高精度运动轨迹控制，尤其在控制对象精确的数学模型难以建立的情况下，很难实现精确的定位，本文提出了基于非线性跟踪微分器（NTD）的插
2009-09-16 10:59
对NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火，采用Hall 电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律。利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照
2017-10-17 15:43
This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. Designed for lowvoltage, highspeed switching applications in power supplies, converters, and power motor controls, these devices are particularly
2012-02-01 11:55
Power MOSFET32 Amps, 60 Volts, Logic LevelN−Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits.Features•
2008-09-02 09:47
NTD8218 是一款双核 10 位单芯片采样模数转换器（ADC），内置片内采样保持电路，具有低成本、低功耗、小尺寸和易于使用等特性。它采用 105 MSPS 转换速率工作，在整个工作范围内都具有出色的动态性能。每个通道均可以独立工作。
2018-08-07 08:00
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating
2012-04-16 13:59
NTD8288是一款双核8位单芯片采样模数转换器（ADC），内置片内采样保持电路，具有低成本、低功耗、小尺寸和易于使用等特性。它采用 100 MSPS 转换速率工作，在整个工作范围内都具有出色的动态性能。每个通道均可以独立工作。
2018-08-07 08:00
NTD30 - HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS - Electronic devices inc.
2022-11-04 17:22
NTD50 - HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS - Electronic devices inc.
2022-11-04 17:22
NTD12 - HIGH VOLTAGE-HIGH CURRENT SILICON RECTIFIERS - Electronic devices inc.
2022-11-04 17:22
