### 98E580-VB MOSFET#### 一、产品简介98E580-VB 是一款单 N 沟道功率 MOSFET，采用 SOT669 封装。该器件具有 80V 的漏源电压（VDS），最大栅源
2024-11-26 15:06 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP98T03GP-VB 产品简介AP98T03GP-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO220封装，设计用于高电流、低导通电阻的应用。该器件利用先进的沟槽技术，具有优异的导通特性
2024-12-26 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号
### 98E760-VB MOSFET 产品简介#### 产品简介98E760-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术（Trench），封装为SOT669。该器件适用于中高电压环境下
2024-11-26 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP98T06GP-VB 产品简介AP98T06GP-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220 封装，适用于中等电压和高电流的应用。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导
2024-12-26 14:15 微碧半导体VBsemi 企业号
### 98T06GP-VB 产品简介98T06GP-VB 是一款单 N 沟道场效应管（MOSFET），采用了先进的沟道技术，适用于需要高性能和高功率的电子应用。其设计优化了导通电阻和功耗，同时保持
2024-11-26 15:15 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP98T06GS-HF-VB 产品简介AP98T06GS-HF-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用了先进的Trench技术，封装在TO263中。具有高耐压、低导通电阻和高电流承载能力
2024-12-26 14:16 微碧半导体VBsemi 企业号
United Monolithic Semiconductors 的 CHA3080-98F 是一款射频放大器，频率为 71 至 76 GHz，增益为 16 dB，噪声系数为 4.3 dB，P1dB
2022-09-07 10:52 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 一、98T03GP-VB 型号的产品简介98T03GP-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装，适合于高电流和低导通电阻的应用场合。该器件具有优秀的电流承载能力和低电阻特性
2024-11-26 15:13 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP98T07GP-HF-VB 产品简介AP98T07GP-HF-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220 封装。它具有优秀的导通特性和高电流承载能力，适用于各种高功率
2024-12-26 14:17 微碧半导体VBsemi 企业号
United Monolithic Semiconductors 的 CHA3409-98F 是一款射频放大器，频率为 25 至 45 GHz，增益为 23 dB，噪声系数为 6.5 dB，P1dB
2022-09-07 11:30 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
