制造工艺中普遍采用了浅结、薄氧化层等一系列的微细加工技术，器件的抗静电能力越来越差。器件的抗静电能力又因器件的设计、制造工艺而有所不同。比如，CMOS，与PMOS、NMOS
2018-06-08 10:37
LED死灯有很多种原因，但由于LED本身抗静电能力弱，因此，大部分死灯都是由于静电击穿造成的。LED内部的PN结在应用到电子产品的制造、组装筛选、测试、包装、储运及安装使用等环节，难免不受静电
2013-06-03 12:57
键盘、鼠标等等，因为USB采用热插拨系统，它极易受到由人体静电或空气放电的影响，造成USB集成电路故障。 现代电脑越来越多的采用低功率逻辑芯片，大多数USB集成电路都是以CMOS工艺为基础设计和制造
2013-12-30 10:09
正常通讯。 USB计算器将输入的数据保存到存储模块中，通过计算模块进行数据运算，最后将数据传输至PC主机。解决该过程相关的ESD静电问题，是提高USB计算器抗静电性能的关键。安达森科技为你提供专门针对USB接口的防静电
2013-12-21 09:52
来源：看点快报本篇文章主要针对静电放电的一些难点进行一个汇总，进而进行详细的分析，跟着小编一起来看看吧！静电放电ESD（Electro-Static Discharge）是EMC测试常见的项目之一
2020-10-23 09:28
。 5 所有 CMOS 和 NMOS 集成电路的储存和运输过程必须采用抗静电材料做成的容器，而不能按常规将器件插入塑料或放在普通塑料的托盘内，直到准备使用时才能从抗静电
2011-08-18 10:15
上一篇文章介绍了PMOS结构LDO的基本工作原理，今天介绍NMOS LDO的基本工作原理，以及其他一些重要的LDO参数。包括PSRR、Dropout Voltage、Head room等。公众号
2021-12-28 06:42
PNP+NMOS用于充电的原理解释作者：AirCity2019.10.19MT2503和展讯SL8521E线性充电方案，都需要外部的PNP+NMOS芯片配合。MT2503搭配WILL的WPT2N32
2021-09-14 08:01
相对通用的电路【NMOS的驱动电路与PMOS的驱动电路区别】电路图如下： 图1用于NMOS的驱动电路图2用于PMOS的驱动电路 这里只针对NMOS驱动电路做一个简单分析： Vl和Vh分别是低端
2021-07-30 06:09
都有二极管保护。vmos栅极电容大，感应不出高压。与干燥的北方不同，南方潮湿不易产生静电。还有就是现在大多数CMOS器件内部已经增加了IO口保护。但用手直接接触CMOS器件管脚不是好习惯。至少使管脚可
2017-06-01 15:59
