型号:PHD78NQ03LT-VB丝印:VBE1307品牌:VBsemi参数:- 沟道类型:N沟道- 最大耐压:30V- 最大持续电流:60A- 开通电阻(RDS(ON)):10mΩ @ 10Vgs
2023-12-13 16:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介PHK12NQ03L-VB 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,采用 SOP8 封装,专为低电压、高电流的应用设计。其额定漏源电压为 30V,具有极低的导通电阻,最大漏电流可达
2025-09-05 14:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介PHK12NQ03LT-VB 是一款高性能单极 N 型 MOSFET,采用 SOP8 封装,专为高效能和低功耗应用设计。该器件的最大漏源电压(VDS)为 30V,能够处理高达 13A
2025-09-05 14:50 微碧半导体VBsemi 企业号