Mini Circuits 的 MERA-556+ 是一款射频放大器，频率 DC 至 2.2 GHz、增益 19 dB、噪声系数 3.5 dB、输出功率 60 至 17.6 dBm
2024-05-06 10:27 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
型号：IPP052NE7N3 G-VB丝印：VBM1808品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：N沟道- 额定电压：80V- 最大连续电流：100A- 静态开启电阻（RDS(ON)）：7m
2023-12-15 09:28 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**产品型号：AM3962NE-VB****封装类型：SOT23-6****配置：双N+N沟道****技术：Trench**AM3962NE-VB 是一款双
2024-11-29 15:53 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介BUK556-60H-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220 封装。这款器件采用沟槽技术，具有非常低的导通电阻和高电流处理能力，使其在高功率和高效率应用中表
2025-01-13 15:48 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介VBsemi的051NE8N-VB是一款单通道N沟道MOSFET，采用槽沟技术，适用于80V的高压工作环境。它具有低导通电阻和高电流承载能力，适合在需要高效能和低功率损耗的电路
2024-07-02 16:29 微碧半导体VBsemi 企业号
AM2394NE (VB1102M)参数说明：N沟道，100V，2A，导通电阻246mΩ@10V，260mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压2V，封装：SOT23。应用简介
2023-12-06 11:47 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、7NE10L-VB 产品简介7NE10L-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造，封装形式为TO220。具有100V的耐压能力和低导通电阻特性，适合于需要高效能量转换
2024-11-21 14:05 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是您请求的信息：**产品简介：**VBsemi的062NE7N-VB是一款TO220封装的单N沟道场效应管。它具有80V的漏极-源极电压（VDS），20V的门-源电压（VGS，±V），3V
2024-07-03 11:58 微碧半导体VBsemi 企业号
