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型号：<b class='flag-s-7'>82N</b>04DG-VB TO220 品牌：微碧

### 一、82N04DG-VB TO220 产品简介82N04DG-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造，封装形式为TO220。具有40V的耐压能力和低导通电阻特性，适合于

2024-11-21 15:55 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>82N</b>06-VB TO262 品牌：微碧

### 产品简介**82N06-VB**是一款单N沟道MOSFET，采用TO262封装，具有优秀的导通特性和高电流承受能力。采用了Trench技术，适用于需要高效能和可靠性的电子应用。### 详细

2024-11-21 16:08 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>82N</b>04UG-VB TO262 品牌：微碧

### 一、82N04UG-VB型号的产品简介82N04UG-VB是一款单N沟道功率MOSFET，专为高电流和低导通电阻的应用而设计。采用Trench技术制造，封装在TO262外壳中，具备优异的导

2024-11-21 16:02 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>82N</b>055-VB TO262 品牌：微碧

### 产品简介82N055-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO262封装，具有高性能和可靠性。该器件采用Trench技术，适合需要高电流承载能力和低导通电阻的应用场合。### 详细参数

2024-11-21 16:03 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>82N</b>055-VB 品牌：微碧

### 产品简介**82N055-VB** 是一款由 VBsemi 提供的单通道 N 型 MOSFET，采用 TO220 封装。它具有低导通电阻和高电流承载能力，适合于中功率电子应用。### 详细

2024-11-21 16:04 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>82N</b>04UG-VB TO220 品牌：微碧

### 82N04LG-VB MOSFET 产品简介82N04LG-VB是一款低压单N沟道MOSFET，采用TO262封装，适用于高电流和低压降要求的电子设备应用。该器件具有低漏极电压、优异的导

2024-11-21 16:00 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>82N</b>04LG-VB TO262 品牌：微碧

### 82N04LG-VB MOSFET 产品简介82N04LG-VB是一款低压单N沟道MOSFET，采用TO262封装，适用于高电流和低压降要求的电子设备应用。该器件具有低漏极电压、优异的导

2024-11-21 15:59 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>82N</b>04DG-VB TO262 品牌：微碧

### 一、82N04DG-VB 产品简介82N04DG-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的单 N 沟道 MOSFET，采用 TO262 封装。它具有低导通电阻和高电流承载能力，在低电压

2024-11-21 15:56 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>82N</b>04LG-VB TO220 品牌：微碧

### 一、产品简介VBsemi 82N04LG-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装，适用于需要高电流和低导通电阻的电源管理和开关电路应用。具有40V的最大漏源电压和极低的导通电

2024-11-21 15:58 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SMA<b class='flag-s-7'>82</b> 品牌：

SMA82可级联SMA82 射频放大器采用分立式混合设计，采用薄膜制造工艺实现精确性能和高可靠性。2 级硅双极反馈放大器设计在宽带频率范围内表现出令人印象深刻的性能。反馈回路中使用隔离变压器，具有高

2023-03-16 12:52 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号