CCG8 使用 GPIO 来控制 FET 栅极驱动器的功率吸收路径， 我可以使用 P-MOSFET 作为电源接收路径吗？ 使用 N-MOSFET 作为功率吸收路径有哪些优点？
2025-05-28 06:51
在通孔板上建立电路数小时后，我发现使用P-MOSFET时Vgs并不容易。经过搜索，我发现我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）将源极电压带到栅极，以便关断
2018-08-23 10:30
如图是THS3491的数据手册上推荐它用作驱动电路的应用图。图中N-MOSFET的源极接在了最高电位+Vs，而THS3491的最大输出也是+Vs，并通过2.49Ω电
2024-08-08 06:58
至辅路电源（电池24VDC），工作电流最大30A，切换开关使用N-MOSFET，使用MCU采集主路、辅路以及输出的电压及电流，电路中有一15VDC电源，拟使用它来做N-MOSF
2019-10-18 09:01
我们有一个带升降压转换器的宽输入电源管理 ic。28V VBUS 不是问题。那么是否有可能消除 N-MOSFET（至少在 Sink 模式下）？如果可以，您对 IN_GD、Gate 和 Source 引脚的连接有何建议？
2023-01-09 06:29
，简称场效晶体管。内部结构（以N-MOSFET为例）如下图所示。在P型半导体衬底上制作两个N+区，一个称为源区，一个称为漏区。漏、源之间是横向距离沟道区。在沟道区的表面
2023-02-10 15:33
有没有XDJM可以讲讲关于MOSFET损坏的知识，例如损坏类型（短路，断路等），如何测定MOSFET是损坏的，有没有什么样的电路可以自定探测到MOSFET
2009-07-02 04:08
有没有XDJM可以讲讲关于MOSFET损坏的知识，例如损坏类型（短路，断路等），如何测定MOSFET是损坏的，有没有什么样的电路可以自定探测到MOSFET
2009-07-02 04:09
（-） 来激活它。将 P 沟道 MOSFET 连接到负载的负极与连接 N 沟道 MOSFET具有相同的问题。只不过这次源头离地面太近了。要激活栅极，您必须施加负电压（相对于接地）。很简单：将
2023-02-02 16:26
电路应运而生。LLC谐振变换器能够在较宽的电源和负载波动范围内调节输出，而开关频率波动却较小。在整个工作范围内，能够获得零电压开关（ZVS）半桥LLC谐振变换器LLC电路MOS
2019-09-17 09:05
