CCG8 使用 GPIO 来控制 FET 栅极驱动器的功率吸收路径， 我可以使用 P-MOSFET 作为电源接收路径吗？ 使用 N-MOSFET 作为功率吸收路径有哪些优点？
2025-05-28 06:51
在通孔板上建立电路数小时后，我发现使用P-MOSFET时Vgs并不容易。经过搜索，我发现我需要使用N-MOSFET或BJT（NPN）将源极电压带到栅极，以便关断MOSFET。对我来说非常重要的是，当
2018-08-23 10:30
压，则会在氧化层下方形成空穴通道。增强模式 N 通道N 通道耗尽和增强类型的符号加工n沟道MOSFET的工作原理是假设大
2023-02-02 16:26
符号。不同之处在于体二极管和箭头符号相对于端子的方向。图3：P沟道和N沟道MOSFET的原理图。注意体二极管和箭头相对漏
2021-04-09 09:20
IC图2：用自举电路对高侧N沟道MOSFET进行栅控极性决定了MOSFET的图形符号。不同之处在于体二极管和箭头
2018-03-03 13:58
上，那么N-MOSFET的Vgs必然是小于等于0。而N-MOSFET要导通的条件是Vgs大于一个正的阈值电压，那么图中的N-MOSFET岂不是始终导通不了？类似的道理，图中的P
2024-08-08 06:58
MOSFET建议用12V电压驱动；驱动电阻建议220～510欧，必须用；驱动电阻能有效抑制寄生振荡；另外注意，N-MOSFET是正电压开通，VGS>0；P-MOSFET是负电压开通
2012-07-06 16:16
MOSFET建议用12V电压驱动；驱动电阻建议220～510欧，必须用；驱动电阻能有效抑制寄生振荡；另外注意，N-MOSFET是正电压开通，VGS>0；P-MOSFET是负电压开通
2012-07-04 17:31
有没有XDJM可以讲讲关于MOSFET损坏的知识，例如损坏类型（短路，断路等），如何测定MOSFET是损坏的，有没有什么样的电路可以自定探测到MOSFET已损坏等等，多谢！！讲
2009-07-02 04:08
，简称场效晶体管。内部结构（以N-MOSFET为例）如下图所示。在P型半导体衬底上制作两个N+区，一个称为源区，一个称为漏区。漏、源之间是横向距离沟道区。在沟道区的表面上，有一层由热氧化生成的氧化层作为
2023-02-10 15:33
