CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34
最近，经过研究证明，生成英文维基百科（English Wikipedia）文章的方法可以概述为源文档的多文档摘要。我们使用抽取式文摘（extractive summarization）来粗略地识别
2018-02-06 11:26
今天为大家介绍一项国家发明授权专利——开口阱质谱仪。该专利由莱克公司申请，并于2016年10月12日获得授权公告。
2018-11-06 09:01
GNSS（Global Navigation Satellite System）并不特指某个单一的卫星系统，而是多个卫星系统的总称。用户设备通过接收卫星提供的经纬度坐标信息来定位。
2020-06-02 15:04
图像传感器的动态范围是汽车成像中的一个关键指标。什么是动态范围？维基百科定义，动态范围（Dynamic Range）是可变化信号（例如声音或光）最大值和最小值的比值。
2023-07-08 10:39
在芯片的硅基世界中，硼离子注入（Boron Implant） 如同纳米级的外科手术——通过精准控制高能硼原子打入晶圆特定区域，构建出晶体管性能的“地基”。而其中颠覆传统的逆向阱（Retrograde Well） 技术，更是将芯片的能效与速度推向新高度。
2025-06-13 11:43
与亚微米工艺类似，双阱工艺是指形成NW和PW的工艺，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是形成PN 结隔离，使器件之间形成电性隔离，优化晶体管的电学特性。
2024-11-04 15:31
量子阱红外探测器基于子带跃迁的工作原理，探测器吸收红外辐射后激发量子阱中的电子，使其从基态跃迁到连续态中，从而实现红外探测。
2023-12-18 10:42
门由一个PMOS和一个NMOS管并联构成，其具有很低的导通电阻（几百欧）和很高的截止电阻（大于10^9欧）。所谓传输门（TG）就是一种传输模拟信号的模拟开关。CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道增强型MOSFET并
2018-04-08 14:06
