CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。
2023-07-06 14:25
本文在N 阱CMOS 工艺的基础上，采用0．6 μm DP-DM 工艺，设计了一个较小静态功耗，小输入失调电压，高增益，
2010-02-06 17:07
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34
CMOS工艺流程介绍，带图片。 n阱的形成 1. 外延生长
2022-07-01 11:23
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区，分別对应p
2022-11-14 09:32
CMOS集成电路通常制造在尽可能重掺杂硼的P型（100）衬底上以减小衬底电阻 ，防止闩锁效应。
2020-10-12 08:00
与亚微米工艺类似，双阱工艺是指形成NW和PW的工艺，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是形成PN 结隔离，使器件之间形成电性隔离，优化晶体管
2024-11-04 15:31
CMOS是一个简单的前道工艺，大家能说说具体process吗
2024-01-12 14:55
13um应变补偿多量子阱SLD台面制作工艺的研究台面制作工艺对１?３μｍ应变补偿多量子阱ＳＬＤ 的器件性能有重要的影响。根据外延结构，分析比较了两种台面制作的方法，即选
2009-10-06 09:52
在下面的图中较为详细的显示了堆叠式DRAM单元STI和阱区形成工艺。下图(a)为AA层版图，虚线表示横截面位置。
2023-09-04 09:32
