小型直流电机的结构剖面图 图1.5 小型直流电机的结构剖面图
2008-11-19 16:28
CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。
2023-07-06 14:25
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34
CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区，分別对应p
2022-11-14 09:32
逆向工程分析公司Chipworks稍早前公布英特尔 （ Intel ） 22nm Ivy Bridge处理器的剖面图，从中可见英特尔称为三闸极 （tri-gate）电晶体的FinFET元件，从剖面图看来，它实际上是几乎呈现三角
2012-05-21 10:20
与亚微米工艺类似，双阱工艺是指形成NW和PW的工艺，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是形成PN 结隔离，使器件之间形成电性隔离，优化晶体管
2024-11-04 15:31
精密电流阱电路图
2009-04-02 15:21
在下面的图中较为详细的显示了堆叠式DRAM单元STI和阱区形成工艺。下图(a)为AA层版图，虚线表示横截面位置。
2023-09-04 09:32
倒掺杂阱（Inverted Doping Well）技术作为一种现代半导体芯片制造中精密的掺杂方法，本文详细介绍了倒掺杂阱工艺的特点与优势。 在现代半导体芯片制造中，倒掺杂阱
2025-01-03 14:01
BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺技术是将双极型晶体管、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）晶体管技术组合在单个芯片上的高级制造工
2024-03-18 09:47
