CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区
2022-11-14 09:34
Pre-CMOS/MEMS 是指部分或全部的 MEMS 结构在制作 CMOS 之前完成，带有MEMS 微结构部分的硅片可以作为 CMOS 工艺的初始材料。
2022-10-13 14:52
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor， 互补金属氧化物半导体）工艺技术是当今集成电路制造的主流技术，99% 的 IC 芯片，包括大多数数字、模拟和混合信号IC，都是
2024-03-12 10:20
在14版本中，SONNET新引入了一种名为工艺技术层的属性定义层，以实现EDA框架和设计流程的平滑过渡。该工艺技术层实际上是用户创建的EM工程中 的多个属性对象的集合体，其中包括了很多基本属性设置，比如层的命名、物理位置、金属属性、网格控制选项等等。
2019-10-08 15:17
电子产品装联工艺技术详解
2023-10-27 15:28
与亚微米工艺类似，双阱工艺是指形成NW和PW的工艺，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是形成PN 结隔离，使器件之间形成电性隔离，优化晶体管
2024-11-04 15:31
最大的RISC-V架构厂商SiFive近日宣布，其OpenFive部门已成功采用台积电（TSMC）的N5工艺技术流片公司首个SoC，采用2.5D封装HBM3存储单元，带宽7.2Gbps。在半导体行业中，流片意味着芯片设计大功告成，一般会在一年内投入商用。
2021-05-01 09:33
新思科技（Synopsys）推出支持TSMC 7nm FinFET工艺技术的汽车级DesignWare Controller和PHY IP。DesignWare LPDDR4x、MIPI CSI-2
2018-11-13 16:20
近年来，有关将CMOS工艺在射频（RF）技术中应用的可能性的研究大量增多。深亚微米技术允许CMOS电路的工作频率超过1G
2017-11-25 11:07
TOPCon 电池的制备工序包括清洗制绒、正面硼扩散、BSG 去除和背面刻蚀、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝沉积、正背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试分选，约 12 步左右。从技术路径角度：LPCVD 方式为目前量产的主流工艺，预计 PECVD 路线有望成为未来
2023-12-26 14:59
