特点CJA03N10S采用先进的沟槽技术和设计提供具有低栅极电荷的优异RDS(ON)。该设备适用于在各种应用中使用。特征获得无铅产品高ESD能力的特殊工艺技术超低RDS(on)的高密度电池设计具有高EAS的良好稳定性
2025-02-17 15:11 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
### 1. 产品简介VBsemi 6N60Z-VB 是一款单N沟道场效应管,主要设计用于高压应用。它具有高达650V的漏极-源极电压(VDS),适合需要稳定电压和可靠性的电路设计。采用平面工艺技术
2024-11-18 15:55 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**VBsemi 15N20-VB MOSFET 产品简介**15N20-VB 是一款高性能单N沟道功率MOSFET,由VBsemi采用先进的Trench工
2024-07-06 16:37 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**VBsemi 160N04L-VB MOSFET 产品简介**160N04L-VB 是一款高性能单N沟道功率MOSFET,由VBsemi采用Trench
2024-07-08 13:41 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP09N20J-HF-VB 产品简介AP09N20J-HF-VB是一款单N沟道MOSFET,封装形式为TO251,采用沟槽工艺技术。该器件适用于中高压应用,具
2024-12-16 14:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**VBsemi 15N95K5-VB MOSFET 产品简介**15N95K5-VB 是一款高性能单N沟道功率MOSFET,由VBsemi采用SJ_Multi-EPI
2024-07-06 17:29 微碧半导体VBsemi 企业号
工艺技术生产。该器件具有低导通电阻和高电压承受能力,适用于高压高功率应用,为系统提供高效能和可靠性。### 二、详细参数说明| **参数** &nb
2024-07-06 17:00 微碧半导体VBsemi 企业号
先进的Trench工艺技术,提供了低导通电阻和高效能。其设计适用于各种高功率应用,为用户提供了更高的系统效率和可靠性。### 二、详细参数说明| **参数** &n
2024-07-06 16:19 微碧半导体VBsemi 企业号