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这个功率MOSFET是使用米特克的先进的屏蔽栅MOSFET技术。这项先进的技术是特别定制的为了最大限度地减少导通状态电阻，提供优越的开关性能优良，并能承受高能脉冲中的冲击雪崩和换向模式。这些设备很好

2024-09-26 11:19 腾震粤电子 企业号

（Ta=25°C）：70W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V 4A。应用场景：适用于高效率开关电源、电机驱动器和照明应用等，可用于电源因数校正（PFC）电路中

2023-08-21 10:49 深圳上大科技 企业号

简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑

2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号

输出模块由N沟道功率MOSFET组成，用于驱动电机绕组。每个H桥均具备调节或限制绕组电流的电路。该器件利用故障输出引脚实现内部关断功能，提供过流保护、短路保护、欠压锁定

2023-03-16 20:30 深圳上大科技 企业号

。每个H桥的功率输出模块由N沟道功率MOSFET组成，用于驱动电机绕组。每个H桥均具备调节或限制绕组电流的电路。该模块还提供过流保护、短路保护、欠压锁定和过热保护，并

2024-04-07 21:44 深圳上大科技 企业号

MD18624高频栅极驱动器是设计用于驱动低侧n通道具有最大控制灵活性的mosfet独立的输入。每个通道可以源和汇5A峰值电流以及轨对轨输出能力。2.2nF负载下7ns/6ns上升和下降时间降低

2025-01-06 10:00 腾震粤电子 企业号

电流模式同步降压调节器。主要的（P沟道开关）和同步的（N沟道开关）都是内置的。在电流模式的操作下，PWM占空比通过误差放大器的输出和峰值电感电流来控制。在每个循环

2022-10-09 17:30 深圳市雅欣控制技术有限公司 企业号

MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，选择到一款正确的MOS管，可以很好地

2022-08-01 14:35 深圳市骊微电子科技 企业号

JWH5123杰华特完全替代 芯洲SCT2630方案产品描述JWH5123 系列是电流模式单片降压开关稳压器。 JWH5123 系列在 4.5V~65V 的输入范围内工作，通过集成的高端 N 沟道

2022-04-24 16:53 芯晶图电子杭州办 企业号

沟道mosfet。轻载时调节器在低频运行以保持***。电流模式控制提供紧负荷瞬态响应和循环电流限制。JWH5125通过短路保护、热保护电流失控保护，输入欠压电压锁定

2022-04-20 10:44 芯晶图电子杭州办 企业号