(M-金属铝)的栅极和隔着氧化层(O-绝缘层SiO2)的源极施加电压，产生电场的效应来控制半导体(S)导电沟道开关的场效应晶体管。由于栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，MOSFET因此又被称为绝缘栅
2023-02-27 18:03
电源系统中的恒定电流源，固态继电器，电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET，当栅极至源极电压为零时，该MO
2021-05-27 12:18
由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用
2022-11-18 11:28
采用N沟MOSFET的源极跟随型开关电路图
2009-08-15 16:28
采用N沟MOSFET的源极接地型开关电路图
2009-08-15 16:31
MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道
2017-05-17 08:30
MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟
2018-01-04 13:41
MOSFET多数是载流子器件， N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子
2018-03-09 14:28
的半导体器件，在电子工程中具有广泛的应用。其独特的结构和工作原理使得它在功率转换、开关电路、放大电路等多个领域发挥着重要作用。然而，任何技术都有其两面性，N沟道增强型
2024-08-23 14:02
用N沟道MOSFET设计反向电压保护电路
2022-04-29 17:59
