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这个功率MOSFET是使用米特克的先进的屏蔽栅MOSFET技术。这项先进的技术是特别定制的为了最大限度地减少导通状态电阻，提供优越的开关性能优良，并能承受高能脉冲中的冲击雪崩和换向模式。这些设备很好

2024-09-26 11:19 腾震粤电子 企业号

（Ta=25°C）：70W(Tc) 类型：N沟道 N沟道 600V 4A。应用场景：适用于高效率开关电源、电机驱动器和照

2023-08-21 10:49 深圳上大科技 企业号

简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑

2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号

MD18624高频栅极驱动器是设计用于驱动低侧n通道具有最大控制灵活性的mosfet独立的输入。每个通道可以源和汇5A峰值电流以及轨对轨输出能力。2.2nF负载下7ns/6ns上升和下降时间降低

2025-01-06 10:00 腾震粤电子 企业号

LZC3106 是一款高性能、高精度谐振模式双端 控制器，专用于 LLC 半桥谐振电路的控制应用。 它提供 50%的互补占空比：高压侧开关和低压 侧开关在完全相同的时间内以 180°反相

2023-09-14 12:11 腾震粤电子 企业号

变储能单元电路拓扑图：MOS这一功率器件，它驱动电路设计容易，不容易发生一次击穿，电子线路中无处不在，在户外电源应用中也占据了关键位置，高品质的MOS能让户外电源

2023-08-08 10:04 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号

使用。其中PFC维也纳电路AC/DC的开关频率40kHz左右，一般使用650V的超结MOSFET或者650V的IGBT，劣势是器件多，硬件设计复杂，效率低，失效率

2023-08-02 10:29 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号

。每个H桥的功率输出模块由N沟道功率MOSFET组成，用于驱动电机绕组。每个H桥均具备调节或限制绕组电流的电路。该模块还提供过流保护、短路保护、欠压锁定和过热保护，并

2024-04-07 21:44 深圳上大科技 企业号

电流模式同步降压调节器。主要的（P沟道开关）和同步的（N沟道开关）都是内置的。在电流模式的操作下，PWM占空比通过误差放

2022-10-09 17:30 深圳市雅欣控制技术有限公司 企业号

关于MOS管驱动电路设计，本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。一般认为MOSFET（MOS管）是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS管的G极和S极之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变

2022-11-08 10:31 嘉瀚芯科技 企业号