器件。一旦在MOSFET的栅极端施加电压，源极沟道的漏极电阻将变得更大。当栅源电压增加更多时，从漏极到源极的电流将减少，直到电流从漏极到源极的流动停止。耗尽型
2022-09-13 08:00
将空穴从p+源极和漏极区域吸引到沟道区域。耗尽模式 P 通道P 通道增强模式加工就结构而言，p 沟道耗尽型
2023-02-02 16:26
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽
2019-05-13 09:00
Multisim10.0元件库没P沟道耗尽型MOSFET管，为什么，我其他几种都找到了结型FET增强
2012-11-03 10:45
“反型层”，从而产生N型的导电沟道。此时，给栅极加上正电压（UGS＞0），沟道变宽，ID增大；反之，给栅极加上负电压（U
2015-06-15 18:03
，增强型MOSFET分为P沟道增强型和N沟道增强
2022-09-27 08:00
N沟道耗尽型mos管，电路工作过程，还望大神指导。
2016-11-12 16:36
1.是N沟道，耗尽型的场效应管，是耗尽型。像图上这样的话，带？的那端应该
2023-05-16 14:24
，被测器件为N沟道耗尽型MOSFET，数据手册上的测试条件为VGS=0V（短接，所以就没画，实际电路已经短接了），VDS
2020-06-22 20:09
沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员，MOSFET可
2021-04-09 09:20
