N沟道耗尽型MOSFET 1) N
2009-09-16 09:41
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z,一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
2023-10-18 09:13
器件。一旦在MOSFET的栅极端施加电压,源极沟道的漏极电阻将变得更大。当栅源电压增加更多时,从漏极到源极的电流将减少,直到电流从漏极到源极的流动停止。耗尽型
2022-09-13 08:00
,被测器件为N沟道耗尽型MOSFET,数据手册上的测试条件为VGS=0V(短接,所以就没画,实际电路已经短接了),VDS
2020-06-22 20:09
ARK(方舟微)研发销售的MOS产品主要以N沟道-耗尽型MOSFET为主(包括具有自主知识产权的高阈值电压(UltraV
2023-11-07 14:47
将空穴从p+源极和漏极区域吸引到沟道区域。耗尽模式 P 通道P 通道增强模式加工就结构而言,p 沟道耗尽型
2023-02-02 16:26
电源系统中的恒定电流源,固态继电器,电信开关和高压直流线路等应用需要N沟道耗尽型功率MOSFET,当栅极至源极电压为零时
2021-05-27 12:18
晶体管,它属于电压控制型半导体器件。根据导电沟道类型和栅极驱动电压的不同,可以分为N沟道-增强型
2023-11-07 14:51
`根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后
2018-08-07 14:16