受到限制。但这种结构具有低的电容，因此开关速度快，主要适合低压应用，如微处理器、运放、数字电路及射频电路等。 图1：N沟道横向导电的平面结构 2 平面双扩散
2016-10-10 10:58
`AON7544 N沟道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技术，具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
2020-05-29 08:39
N沟道增强型MOS场效应管的结构示意图和电路符号如下图所示，用一块掺杂浓度较低的P型硅片作为衬底，在其表面上覆盖一层二
2015-06-12 09:24
耗尽型MOSFET在各类开关电源启动电路中的应用
2023-11-09 14:18
LTC2924，采用外部N沟道MOSFET的电源排序的简单紧凑型解决方案
2019-04-16 06:07
场效应管，应该是开关S断开时，灯灭，开关S闭合时，灯亮才对呀。 这倒像是N沟道耗尽型场效应管了，请问这是怎么回事？&nbs
2010-11-16 12:28
LT1160的典型应用 - 半桥/全桥N沟道功率MOSFET驱动器。 LT 1160 / LT1162是经济高效的半桥/全桥N沟
2019-05-14 09:23
也越大，耗尽层也越向N型半导体中心扩展，使靠近漏极处的导电沟道比靠近源极要窄，导电沟道呈楔形。所以形象地比喻为当水龙头两
2012-08-13 12:51
LT1336的典型应用是具有成本效益的半桥N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以驱动顶部N沟道功率
2019-05-10 06:46
LT1158上单个输入引脚的典型应用同步控制图腾柱配置中的两个N沟道功率MOSFET
2019-05-28 09:02
