N沟道增强型MOSFET N沟道
2009-09-16 09:38
N沟道增强型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）作为现代电子
2024-09-23 17:06
N沟道增强型MOSFET（N-Channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semicond
2024-08-23 14:02
N沟道增强型MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）作为半导体器
2024-09-23 16:48
NP2300MR使用先进的海沟技术提供优秀的RDS()、低门和高收费 超低密度细胞设计导通电阻。这设备适用于作为负荷开关或脉宽调制 应用程序。
2022-07-14 14:01
NP30N03LD6使用沟技术独特的优化提供最有效的高频率切换的性能。两个传导由于一个和交换式电源损失最小化 极低的RDS(上)和路上的组合。这设备是高频开关和理想同步整流。
2022-07-19 09:51
NP2302FVR使用先进的海沟技术提供优秀的RDS()、低门和高收费 超低密度细胞设计导通电阻。这设备适用于作为负荷开关或脉宽调制 应用程序。
2022-07-18 11:47
NP2302FHR使用先进的海沟技术提供优秀的RDS()、低门和高收费 超低密度细胞设计导通电阻。这设备适用于作为负荷开关或脉宽调制 应用程序。
2022-07-18 16:02
NP2312A使用先进的海沟技术 提供优秀的RDS()、低门和收费 操作门电压2.5 v。这 设备适用于作为负荷开关或脉宽调制 应用程序。
2022-07-13 10:26
NP2312使用先进的海沟技术提供优秀的RDS(上)、低门和收费操作门电压2.5 v。这 设备适用于作为负荷开关或脉宽调制应用程序。
2022-07-13 16:56
