• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
大家还在搜
  • ARK(方舟微)的MOSFET产品简介和常见问题解答

    ARK(方舟微)研发销售的MOS产品主要以N沟道-耗尽MOSFET为主(包括具有自主知识产权的高阈值电压(UltraVt®)耗尽

    2023-11-07 14:47

  • 四种类型的MOSFET的主要区别

    晶体管,它属于电压控制半导体器件。根据导电沟道类型和栅极驱动电压的不同,可以分为N沟道-增强型

    2023-11-07 14:51

  • 增强型和耗尽MOS场效应管的详细资料和计算方式说明

    根据导电方式的不同,MOSFET又分增强型、耗尽。所谓增强型是指:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“

    2019-07-06 09:48

  • cmos传输门如何传输(cmos传输门工作原理及作用_真值表)

    门由一个PMOS和一个NMOS管并联构成,其具有很低的导通电阻(几百欧)和很高的截止电阻(大于10^9欧)。所谓传输门(TG)就是一种传输模拟信号的模拟开关。CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道

    2018-04-08 14:06

  • P沟道N沟道MOSFET在开关电源中的应用

    MOSFET多数是载流子器件, N沟道MOSFET在导电过程中有电子流动。 P沟道在导电期间使用被称为空穴的正电荷。电子

    2018-03-09 14:28

  • FDV303N N沟道MOSFET的功能特性

    FDV303N是一款N沟道 MOSFET。这种器件通常用于开关和放大电路中,可以控制电流流动并放大信号。

    2023-11-03 14:56

  • 以工艺见长的东芝N沟道功率MOSFET为电源效率赋能

    MOSFET是以金属层(M)栅极隔着氧化层(O)利用电场效应来控制半导体(S)的场效应晶体管,其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同,MOSFET可分为电子占多数的

    2023-04-13 09:40

  • CoolGaN和增强型GaN区别是什么

    CoolGaN和增强型GaN(通常指的是增强型高电子迁移率晶体管,即e-mode HEMT)在概念上有所重叠,但具体来说,它们之间的区别主要体现在以下几个方面: 一、定义与范畴 CoolGaN

    2024-09-07 09:28

  • 增强型和耗尽MOS管的区别

    特性和控制方式,可以将其分为增强型和耗尽两大类。这两种类型的MOS管在结构、工作原理、性能特点以及应用场景等方面都存在显著的差异。本文将对增强型和耗尽MOS管进行详

    2024-05-12 17:13

  • 晶扬电子2N7002KX N沟道MOSFET产品介绍

    晶扬电子作为国内业内著名的“电路与系统保护专家” ,生产的2N7002KXN沟道MOSFET管,因其优良的性能和广泛的

    2024-09-10 17:30