P沟道增强型场效应管（P-channel Enhancement-Mode Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称P-MOSFET）是一种基于
2024-09-23 17:08
Q1为N沟道增强型场效应管 该电路实际动作：当接通220V交流电，开关S为断开时，Q1导通，灯亮；当开关S闭合时，Q1截止，灯灭。
2010-11-16 12:28
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，
2012-07-06 16:30
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，
2012-07-05 11:27
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，
2012-07-06 16:34
击穿现象、安全工作范围宽等优点。本节我们讲解一下N沟道增强型MOS场效应管，其基本结构如下图所示：如上图所示，在一块P
2023-02-10 15:58
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:08 编辑 N沟道增强型场效应管的工作原理工作原理：1栅源电压V(GS)的控制作用: 当V(GS)=0V时，
2012-07-04 17:48
N沟道增强型MOS场效应管的结构示意图和电路符号如下图所示，用一块掺杂浓度较低的P
2015-06-12 09:24
物美。而逆变器后级电路可应用的场效应管除了TK8A50D，还有飞虹电子生产的这个FHP840 高压MOS管。飞虹电子的这个FHP840 高压MOS管为N
2019-08-15 15:08
。它一般有耗尽型和增强型两种。本文使用的是增强型MOS场效应管，其内部结构见图4。它可分为NPN
2011-06-08 10:43
