绝缘栅场效应管又称金属（M）氧化物（O）半导体（S）场效应管，简称MOS管。按其内部结构又可分为一般MOS管和VMOS管
2020-07-15 15:48
则是由一个绝缘栅和源漏极组成。 MOSFET又可以分为增强型和耗尽型两种类型 。与晶体管相比， 场效应管具有输入电阻高、噪声小、体积小等优点 ，因此在电子电路中得到了广
2023-11-17 16:29
本文主要介绍了场效应管发热严重的原因以及场效应管的工作原理。场效应管是只要一种载流子参与导电，用输入电压控制输出电流的半导体器件。有N
2018-01-30 15:13
本文主要介绍了场效应管的参数。
2019-08-14 11:36
场效应管是一种电子元件，它可以控制电流或电压，通过改变极化层的电场来控制电流或电压。根据其结构特点分为MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）、JFET（金属硅场效应管）、IGBT（晶体
2023-02-17 15:44
MOS场效应管即金属氧化物半导体型场效应管，属于绝缘栅型。在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因而具有很高的输入电阻（最高可达10l5Ω）。它分为
2019-11-30 11:01
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET）和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semicond
2017-05-02 15:11
下面是对场效应管的测量方法场效应管英文缩写为FET。可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型
2017-12-21 11:17
根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载
2019-07-06 09:48
MOSFET的类型很多，按导电沟道可分为P沟道和N沟道；根据栅极电压与导电沟道出现的关系可分为耗尽
2019-10-11 10:33
