NDS9410A N沟道场效应管 using Fairchild Semiconductor’s advancedPowerTrench process that has been
2008-05-14 23:50
Q1为N沟道增强型场效应管 该电路实际动作：当接通220V交流电，开关S为断开时，Q1导通，灯亮；当开关
2010-11-16 12:28
结隔离，因此，即使在D、S之间加绝缘栅型N沟道增强型场效应管栅极g的电压一定比漏极d的电压小截止时是这个情况，但是饱和时漏极电压几乎为零，此时栅极电压就会比漏极电压高。
2012-07-06 16:30
结隔离，因此，即使在D、S之间加绝缘栅型N沟道增强型场效应管栅极g的电压一定比漏极d的电压小截止时是这个情况，但是饱和时漏极电压几乎为零，此时栅极电压就会比漏极电压高。
2012-07-05 11:27
结隔离，因此，即使在D、S之间加绝缘栅型N沟道增强型场效应管栅极g的电压一定比漏极d的电压小截止时是这个情况，但是饱和时漏极电压几乎为零，此时栅极电压就会比漏极电压高。
2012-07-06 16:34
结隔离，因此，即使在D、S之间加绝缘栅型N沟道增强型场效应管栅极g的电压一定比漏极d的电压小截止时是这个情况，但是饱和时漏极电压几乎为零，此时栅极电压就会比漏极电压高。
2012-07-04 17:48
N沟道增强型MOS场效应管的结构示意图和电路符号如下图所示，用一块掺杂浓度较低的P型硅片作为衬底，在其表面上覆盖一层二氧化硅（SiO2）的绝缘层，再在二氧化硅层上刻出两个窗口，通过扩散形成两个高
2015-06-12 09:24
和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出
2011-06-08 10:43
晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。 众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流
2021-05-13 06:40
型号:HC080N06LS【06N06】丝印：HC606参数：60V 6A 类型：N沟道场效应管 沟槽型内阻72mR低结电容435pF 封装：SOT23-3低开启电压1
2021-03-08 16:42
