1、结型场效应管分为N沟道和P沟道两种类型。 为使N沟道场效应管能够正常
2024-01-30 11:38
NDS9410A N沟道场效应管 using Fairchild Semiconductor’s advancedPowerTrench process that has been
2008-05-14 23:50
加正向电压，以形成漏极电流。N沟道场效应管在不加控制电压时导电沟道是低阻状态，加上控制电压沟道电阻逐渐变大。 如果在栅源
2024-01-30 11:51
N沟道场效应管（电子为载流子），P沟道场效应管（空穴为载流子）。绝缘栅场效应管有四种类型：N
2019-06-25 04:20
，场效应管可被看成电气开关。当在N沟道场效应管的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS
2020-07-10 14:51
Q1为N沟道增强型场效应管 该电路实际动作：当接通220V交流电，开关S为断开时，Q1导通，灯亮；当开关
2010-11-16 12:28
代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型
2012-07-11 11:41
击穿现象、安全工作范围宽等优点。本节我们讲解一下N沟道增强型MOS场效应管，其基本结构如下图所示：如上图所示，在一块P型硅片（半导体）衬底（Substrate，也有称为Bulk或Body）上，形成两个高
2023-02-10 15:58
和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出
2011-06-08 10:43
)的结构图。虽然有不同的结构，但其 工作原理是相同的，这里就不一一介绍了。 功率场效应管(MOSFET)的工作原理要使增强型N沟道场效应管(MOSFET)工作，要在G、S
2011-12-19 16:52
