场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种通过改变电场来控制半导体材料导电性能的电子器件。根据导电沟道中载流子的类型，场效应管可以分为N
2024-09-23 16:41
P沟道场效应管（P-channel Field-Effect Transistor，简称P-FET）的电流方向是半导体器件工作中的一个基本特性，它决定了电流在器件内部的
2024-09-23 17:22
N沟道场效应管（N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET）和P沟道场效应
2024-09-23 16:38
P沟道场效应管（P-channel Field-Effect Transistor，简称P-FET）的导通条件是其能够正常工作的关键要素。以下是关于P沟道场效应管导通条件的详细介绍，旨在全面解析其工作原理和条件要求。
2024-09-23 17:12
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）的电流方向判断，主要依据其类型（N沟道或P
2024-07-23 11:50
场效应管怎么区分n沟道p沟道 场效应管是一种常见的半导体器件，可以用于电子器件中的信号放大、开关等应用。
2023-09-02 10:05
根据提问者的意思，N沟道场效应管栅极（G极）电压是否可以大于漏极（D极）电压？为什么？
2023-05-09 09:06
下图是一个由 RC 电路和 P 沟道场效应管组成的延时关机电路。
2023-02-15 11:06
MT3287 N沟道场效应管是一款高性能的半导体器件，广泛应用于各种电子设备和系统中。其独特的70V耐压、80A的电流承载能力以及6.8毫欧的低电阻特性，使得它在电力电子、工业自动化、汽车电子等领域
2024-07-04 15:13
CS系列N沟道结型场效应管 CS系列结型场效应管的主要特性参数见表16-2 。
2009-08-22 16:01
